產(chǎn)品時(shí)間:2023-09-13
訪(fǎng)問(wèn)量:1372
廠(chǎng)商性質(zhì):生產(chǎn)廠(chǎng)家
生產(chǎn)地址:
品牌 | 其他品牌 |
---|
真空鍍碳儀/中西器材 型號:JE3-TZ-1000C
注明:桌面型蒸鍍碳層,減少因樣品鍍層對X射線(xiàn)能量譜儀做元素分析時(shí)的能量損失,可以選擇蒸發(fā)碳繩和蒸發(fā)碳棒兩種方式。
技術(shù)規格說(shuō)明
樣品倉尺寸:φ150mmX110mm
蒸發(fā)面積:約Φ140mm
高真空度:≤4×10-2mbar
工作電壓:220V,50HZ
蒸發(fā)輸出:電壓30V
蒸發(fā)靶材:碳棒、碳繩
蒸發(fā)大電流:約100A
真空鍍碳儀/中西器材 型號:JE3-TZ-1000C
理想膜層的特點(diǎn)
1.良好的導熱和導電性能。
2.不管樣品的表面形貌如何,覆蓋在所有部位的膜層需要薄厚均勻。
3.膜層對樣品的化學(xué)成分干擾很小,對從樣品中發(fā)射的X射線(xiàn)強度影響很弱。
4.這層膜主要增加樣品表面的導電性能和導熱性能,相較于導電金屬膜層的厚度普遍在10nm以上;可提供碳的鍍層,在3-4nm分辨率尺度內不顯示其幾何形貌特點(diǎn),避免引入不必要的人為圖像,鍍層精細均勻,適合非常粗糙的樣品,高分辨研究。
5.可以噴碳(碳棒或碳繩),有利于對樣品中非碳元素的能譜分析。
6.非導電樣品觀(guān)察背散射電子圖像,進(jìn)行EBSD分析,也應該噴碳處理。
主要用于掃描電鏡 EDS 樣品鍍導電膜 ,儀器操作簡(jiǎn)單方便,是配合SEM 制樣的儀器。